Phénomène De Transport Dans Les Semi-conducteurs
Résumé: Dans ce travail, nous avons fait l'étude du phénomène de transport dans les semi-conducteurs. On s'est intéressé en particulier aux phénomènes de transports polarisés des spins. Une étude théorique et numérique a été réalisée dans le cas d'un dispositif appelé transistor spin-FET où il a été question de mettre en évidence ce type de transport. Ainsi donc en se basant sur des récentes études sur les contacts ferromagnétique- semi-conducteur, on a pu étudier la transconductance de ce transistor analogue au transistor de type HEMT dans lequel on remplace les zones de contacts de source et de drain par des contacts ferromagnétiques. Le contact de source joue le rôle de polariseur de spin pour les électrons injectés dans le canal de conduction du transistor et le contact de drain est un analyseur de spin pour les électrons parvenus en fin de canal. Le courant de drain varie ainsi avec les orientations relatives du spin des électrons en fin de canal et de l'aimantation du contact de drain. Or, il est possible de le contrôler, grâce à la tension de grille. Cette étude a été couronnée par une analyse numérique en fonction du champ extérieur et des caractéristiques internes du semi-conducteur
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