Etude Ab-initio Des Propriétés Électroniques De Gan/inn/ain : Effets De Polarisation

Résumé: Dans ce travail, nous procédons la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total FP-LAPW implémenté dans le code Wien2k pour étudier systématiquement l'origine des effets de polarisation des matériaux GaN,InN et AlN, ces matériaux à grande largeur de bande interdite sont très intéressants pour les applications électroniques et optoélectroniques en Ultra-violet, cependant, ces matériaux sont handicapés par les effets de polarisation interne qui détériorent les performances des composants. Au chapitre I, nous présentons les matériaux III-N (GaN, AlN, InN), et leurs propriétés ainsi que les alliages ternaires InxGa1-xN, AlxGa1-xN et InxAl1-xN, ensuite les propriétés des déférents types des hétérostructures à puits quantiques InxGa1-xN /GaN, nous présentons aussi la propriétés de la polarisations spontanée et piézoélectrique des ces matériaux. Au chapitre II, nous présentons nos résultats de calculs ab-initio que nous avons réalisé au sein de notre Laboratoire L.E.M.O.P par le code Wien2k appliqué aux nitrures GaN, InN, AlN et l'alliage de ternaire InxGa1-xN de concentration d'indium de pas de 25? dans les trois phases wurtzite, zinc blende et rocksalt par l'Approximation du Gradient Généralisé GGA et l'Approximation de la Densité Locale LDA.Au chapitre III, nous présentons l'étude théorique de la polarisation spontanée et piézoélectrique dans InxGa1-xN.

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