Etude De Photopiles Solaires Nanostructurées À Base De Nitrures Iii-v : Gan, Ain, Inn
Résumé: Dans ce travail, nous procédons à une étude d'optimisation de photopiles solaires nanostructurées à base de semi-conducteurs nitrures III-V InxGa1-xN/GaN. InxGa1-xN/GaN présente plusieurs avantages permettant d'augmenter le rendement des photopiles : il couvre une large gamme du spectre solaire allant de l'ultra-violet (EG=3.4eV pour GaN) jusqu'à l'infra-rouge (EG=0.7eV pour InN). Ces photopiles ont une très grande stabilité et une très grande résistance aux perturbations extérieures. Notre objectif dans ce travail est d'optimiser la conception et la composition d'alliage en utilisant la contrainte, la polarisation et la structure Tandem, où un empilement de plusieurs couches de matériaux à gap décroissant, permet d'augmenter considérablement le rendement avec des compositions d'alliages différentes. A cet effet nous procédons à une étude détaillée de l'ensemble des propriétés de l'hétérostructure InxGa1-xN/GaN. Dans le chapitre I, nous présentons le principe de fonctionnement d'une photopile solaire et énumérons les différents matériaux, structures et technologies de photopiles solaires. Dans le chapitre II, nous commençons par décrire les propriétés des matériaux binaires GaN, InN, AlN ainsi que leurs alliages ternaires InGaN, AlGaN, AlInN.
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