Étude Et Modélisation D’un Transistor À Effet De Champ À Grille Isolée "mosfet"
Résumé: Ce travail a pour objet l´étude et la modélisation des transistors MOSFET et détermine l’impact des effets sur les performances électriques d’un transistor à effet de champ à grille isolant "MOSFET". Nous décrivons, après un rappel de la théorie du fonctionnement du transistor à effet de champ MOSFET. D’autre part, Nous présentons, dans un premier temps, la description du transport électronique par les équations : Poisson et Schrödinger. Dans un second temps, nous avons fait la visualisation de l'utilisateur numérique dans la résolution des équations aux dérivées partielles est alors abordé en utilisant le concept des différences finies en tant que méthode de discrétisation et la méthode de Newton-Raphson en tant que résolution numérique. Après cela, nous avons parlé à quelques-unes des influences qui ont affecté le transistor MOSFET et comprenant : - L’effet de l’épaisseur d’oxyde TOX. - L’effet de permittivité diélectrique de l’oxyde ɛr. - L’effet à la température T
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