Contribution À L’étude Et La Modélisation Du Transistor À Effet De Champ À Grille Isolée De Haute Permittivité Diélectrique
Résumé: La miniaturisation des transistors Métal-Oxyde-Semi-conducteur à effet de champ (MOSFET) ne suffit plus à satisfaire les spécifications de performances de l’International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS). Dans ce cadre, les oxydes de grille MOS atteignent des épaisseurs limites qui les rendent perméables aux courants de fuite. Une solution est de remplacer le SiO2 par un matériau de permittivité plus élevée. Une approche analytique basée sur un prédicteur neuronal a été développée dans le cas du transistor MOSFET à permittivité élevé (HfO2). Cette dernière nous a permis de prévoir l'évolution de courant du drain en fonction des différents paramètres (tension du drain, tension de grille, longueur du canal et épaisseur d’oxyde). Les résultats obtenu par l’approche neuronal, elle était vérifié par la technique GA, est les deux méthodes présentent une meilleure stratégie conventionnelle d'extraction des paramètres, en terme de convergence elles fournissent des solutions optimales globales.
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