Simulation Numérique Des Champs Élastiques Anisotropes De Déformations Générés Par Des Réseaux Unidirectionnels
Résumé: L’étude des déformations élastiques associées aux réseaux interfaciaux de dislocations représente un domaine qui n’a été exploité que partiellement malgré son importance dans l’explication des propriétés physiques des matériaux. Ceci est souvent dû à la complexité d’analyser le modèle caractérisé par la microscopie électronique à transmission (MET) ou la microscopie électronique à transmission, haut résolution (METHR) dans les conditions réelles, entre autres l’anisotropie de deux matériaux. Dans ce travail, les champs élastiques d’un réseau unidirectionnel de dislocations de misfit placé à l’interface d’un matériau multicouche sont déterminés en utilisant une analyse par série de Fourier et en considérant l’élasticité anisotrope particulière à chaque cristal. Les coefficients de cette série et les termes définissant la géométrie du réseau interfacial sont déterminés numériquement. Les termes comportant les coefficients de Fourier constituent les éléments second membre d’une matrice 24x24 pour le système bicristal mince , 18x18 pour le système couche sur substrat et 12x12 pour le système infini. Différentes applications sont présentées pour les bicristaux Al/Al, Cu/Cu et Al/Cu.
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