Etude Expérimentale Des Caractéristiques I(v) En Fonction De La Température Sur Des Diodes Réalisées Sur Silicium Poly Cristallin.
Résumé: Ce mémoire décrit une étude du comportement électrique de jonctions PN réalisées dans un film mince de silicium polycristallain par un procède technologique L.P.C.V.D. Ces composantes sont caractérisé par des mesures I(V) pour différentes températures. Dans notre travail ont s'y basé sur le logiciel (SILVACO), pour faire la simulation électrique d'une diode latérale polycristallain telles que les étapes technologiques , les caractéristiques I(V), la tension de claquage.
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