Elaboration Des Couches Minces De Sno2 Obtenu Par La Voie Sol-gel
Résumé: Le travail présenté dans ce manuscrit est consacré à l’étude des propriétés optiques, électriques et structurales des couches mince d’oxyde d’étain non dopé et dopé à 5% d’Aluminium et à 5% de fluor, élaboré par un protocole expérimental basé sur la méthode sol-gel et la techniques dip-coating. L’influence de la température et du dopage (AL et F)sur les différentes propriétés (structurales, optiques et électriques) de ces couches a été étudiée et discutée après les caractéristiques du (DRX), UV-Visible et la spectroscopie de photoluminescence (PL). La DRX, montre que la cristallisation des films minces se fait à 500 °C et les couches sont cristallisées dans une phase tétragonale suivant les plans (110).L’analyse par le spectrophotomètre V-Visible présente une transmission élevée et un gap réduit pour les films de SnO2 pur par rapport aux films dopés. D’après les résultats de la photoluminescence (PL) l’intensité d’émission est due à une bonne recombinaison électron-trou radiative pour les couches dopées avec l’Aluminium et le fluor. The work presented in this manuscript is devoted to the study of the optical, electrical and structural properties of undoped and doped tin oxidethin films with 5% aluminum and 5% fluorine, elaborated by sol-gel dip-coating method. The influence of the heat treatment temperature and the dopants (AL and F), on the formed phase and the different properties of these layers has been studied and discussed. These characteristics are studied after X-ray diffraction (XRD), UV-Visible analysis and photoluminescence spectroscopy (PL). The results of X-ray diffraction analys is showed that the crystallization of thin films is at 500°C And indicated that the layers crystallized in a tetragonal phase along the (110) planes. The analys is by UV-Visible spectrophotometer shows a high transmission for pure SnO2 films compared to doped films and a reduced gap to that of undoped layers. according to the results of photoluminescence (PL), the emission in tensityis due to a good electron-hole radiative recombination for the layers doped with Aluminum and fluorine.
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