Simulation D'un 'un Laser À Puit Quantique À Base De Ingaasp/inp
Résumé: L'objectif de cette étude est d'explorer les lasers basés sur des hétérojonctions de semi-conducteurs III-V. L'étude porte sur un dispositif à hétérojonction de semi-conducteurs III-V (InGaAsP-InP) dans le cadre des hypothèses simplificatrices, se limitant au régime stationnaire de la cavité laser. La simulation réalisée à l'aide du logiciel de programmation MAPLE 14 a permis de clarifier l'influence de certains paramètres du laser étudié, tels que le facteur d'émission spontanée β, la densité optique des photons et la puissance.
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