Identification De Microstructure Des Pièges Dans Les Dispositifs Mos Par La Spectroscopie Paramagnétique De Spin
Résumé: Ces dernières décennies, l’industrie micro-électronique a réalisé d’énormes progrès, tout les composants ont subit des profondes modifications pour répondre aux besoins des utilisateurs quotidienne, à utiliser des dispositifs de taille réduite et consommant moins d’énergie. Nous avons alors assistés à une évolution de la technologie CMOS et une course vers la miniaturisation des circuits intégrés et par conséquent le transistor MOS (MOSFET). Cette réduction d’échelle consiste à réduire la structure physique du transistor MOSFET en générale et les zones actives en particulier, l’une des principales conséquences est la réduction de l’oxyde de grille des MOSFET (un paramètre primordial dans le fonctionnement du composant), cela peut induire a l’apparition de certains défauts localisés dans l’oxyde et l’interface oxyde/silicium qui causent la dégradation des composants d’avantage (due à augmentation de champ électrique par la réduction de l’épaisseur de l’oxyde de grille).
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