Contribution À L’étude De La Spectroscopie À Résonance De Spin: Application À L’identification De La Microstructure Des Pièges Dans Si/sio2.

Résumé: L’identification des microstructures des défauts dans la structure Si-SiO2 est très importante, car elle nous permet de comprendre les mécanismes responsables de la dégradation des composants électroniques ; une fois ces mécanismes sont connus, cela nous permet d’agir sur le procède de fabrication pour diminuer ces défauts. Des recherches dans le domaine de la caractérisation se sont donc orientées vers la résonance de spin Ce mémoire a pour but d’apporter une contribution dans le domaine de la résonance paramagnétique pour l’identification des défauts atomique de Si-SiO2, pour une meilleure connaissance de l’origine physique des défauts et ainsi l’amélioration de la qualité des dispositifs et leur performance. Notre travail consiste a identifié les défauts dans le Si-SiO2, d’un transistor de puissance par la résonance paramagnétique, après plusieurs simulation nous somme arrivé à obtenir des signaux EDMR qui a détecté des défauts dans l’intervalle du champ magnétique de (6 a 8 mT). Les signaux que nous obtenus sont reproductibles malgré qu’à plusieurs reprise nous avons dû rebrancher tout les blocs du système et refaire les réglages des paramètres. Le matériel de caractérisation est fabriqué au CDTA .La détection des défauts avec cette méthode a été réalisée avec succès et nous pouvons ; il reste cependant à compléter cette technique par l’identification des défauts qui ne sera possible que lorsqu’un logiciel de traitement des données muni d’une base de données importante soit conçu pour l’identification et l’attribution de chaque type de signal au défaut correspondant. C’est ainsi que nous envisageons continuer dans ce domaine pour pouvoir réaliser cette base de données et ainsi compléter la technique.

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