Caractérisation Et Simulation D’un Transistor Bipolaire À Hétérojonction (si/sige) En Hautes Fréquences.
2017
Autre
Génie Électrotechnique Et Automatique

Université Mouloud Mammeri - Tizi Ouzou

B
Baghdadi Mustapha

Résumé: Ce travail a pour objet la présentation des deux grandes familles de transistors : Le transistor bipolaire, transistor bipolaire à hétérojonction. Et consiste en la présentation des différents types de transistor, tels que le transistor bipolaire et en particulier les HBT (transistor bipolaire à hétérojonction), L’utilisation de l’hétérojonction a permis de dépasser les limites du transistor(Les limitations fréquentielles du BJT).

Mots-clès:

bjt
hbt
hyperfréquences
atlas silvaco
transistor
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