Conception D’un Transistor Bipolaire À Base De Si/sige Par Silvaco
Résumé: Ce travail présente une simulation numérique des effets des largeurs d'émetteur et du collecteur sur les performances d'un transistor bipolaire basé sur une hétérojonction entre le silicium et le silicium-germanium (Si / SiGe HBT). Premièrement, les caractéristiques de courant continu et de transfert courant-tension ont été évaluées. Deuxièmement, les facteurs de mérite HBT telles que le gain de courant
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