Etude De Comportement Des Hbt En Hautes Fréquences
Résumé: Résumé Le silicium est aujourd’hui incontournable dans le développement de l’industrie semiconducteur. Une part importante de la recherche est consacrée à la mise au point de matériaux permettant de compenser ses points faibles. Ces matériaux sont sélectionnés pour leurs propriétés physiques mais surtout pour leur compatibilité avec le silicium. Aujourd’hui, la technologie SiGe s’est beaucoup développée autour des transistors bipolaires à hétérojonctionSiGe/Si(HBT), permettant de passer un nouveau cap en termes de performances sans sortir de l'environnement silicium. Le travail présenté dans ce mémoire se place dans le cadre d’étude du transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe en hautes fréquences. Il s’attache plus particulièrement à l’identification de l’influence de la fréquence et certains paramètres technologiques (dopage, fraction de germanium dans la base) sur les paramètres électriques à savoir le gain statique, le gain dynamique. Dans le but de confirmer les modifications apportées qui influent avantageusement sur les paramètres électriques des HBT nous avons réalisés quelques simulationsàl’aide de logiciel de Silvaco Atlas.
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