Contribution À L’étude Et La Modélisation D’un Transistor Fortement Submicronique

Résumé: Cette thèse entre dans le cadre de développement de nouveaux composants actifs en électronique dans le but d'améliorer leurs performances par rapport aux composants existants. Plus particulièrement, cette thèse se focalise sur deux composants très utilisés dans l'industrie, en l'occurrence, il s'agit des MOSFET et HEMT. En effet, dans le but de pallier les inconvénients des effets du canal court et d'améliorer les performances du MOSFET, nous proposons une nouvelle structure basée sur des extensions source/drain fortement dopés, sans jonction avec grille enrobée (GAAJ MOSFET). L'objectif ensuite est de rechercher systématiquement les impacts d'un tel design sur les performances RF et analogiques, et de montrer le comportement immunisé contre les effets indésirables de canal court. Dans ce contexte, un modèle analytique issu de la solution rigoureuse de l'équation de Poisson incluant les effets des extensions drain/source a été développé et optimisé grâce aux algorithmes génétiques. Afin de valider le modèle proposé, une étude comparative entre la structure GAAJ MOSFET proposée et le dispositif classique, en termes de performances RF /analogiques, a été également abordée. Il en ressort que le modèle développé possède des performances meilleures. Par ailleurs, une nouvelle structure du HEMT a été proposée basée sur un champ plat à grille et hétérostructure doubles. Les performances de ce composant sont évaluées en termes de performances RF/analogiques

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