Modélisation D’un Isfet
Résumé: Dans ce mémoire, la modélisation comportementale de l’influence de la température sur la réponse de pH-ISFET a été présenté en utilisant le simulateur Orcad PSPICE et le logiciel Matlab. Ce modèle est basé sur le modèle dit site-binding et le niveau 3 du modèle MOSFET de PSPICE. Les variations de constantes de dissociation ka et kb à l’interface électrolyte/ isolant SiO2/Si3N4 en fonction de la variation de température ont été étudiés. Les paramètres du modèle sont extrait en utilisant l'algorithme de Newton-Gauss en se basant sur la méthode des moindre carrée, l'utilisation de ces valeurs a montré une bonne estimation entre la modélisation et les données expérimentales à différentes températures sur une large gamme de pH.
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